IPS12CN10LGBKMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPS12CN10LGBKMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 100V 69A TO251-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 83µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO251-3-11 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.8mOhm @ 69A, 10V |
Verlustleistung (max) | 125W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5600 pF @ 50 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 69A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPS12C |
IPS12CN10LGBKMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPS12CN10LGBKMA1 PDF - EN.pdf |
IPS135N03L G infineo
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2024/05/7
2024/08/22
2024/07/11
2024/05/14
IPS12CN10LGBKMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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